Formation de defauts dans les echantillons de mica muscovite irradies par des ions de grande energie

Abstract

Nous avons étudié, par diffusion des rayons X aux petits angles des échantillons de mica muscovite irradiés par des ions Krypton, Argon, Néon, d'énergie 1 MeV par nucléon et par des ions Oxygèene d'énergies 2 et 5 MeV par nucléon. Il se forme à la fois des défauts ponctuels et des défauts étendus de forme isotrope dont le rayon varie de 10 Å à 30 Å selon les irradiations. Ce sont ces défauts étendus, qui au cours de l'attaque chimique ultéricure à l'irradiation, donnent naissance aux traces visibles au microscope. La concentration volumique de ces défauts est importante et pour des doses élevées (10¹⁴ à 10¹⁵ ions par cm²) les échantillons deviennent amorphes. Muscovite mica samples are studied by low angle scattering of x-rays, after irradiation by Krypton, Argon and Neon ions with an energy of 1 McV/nucleon and Oxygen ions of 2 and 5 MeV/nucleon. Both point defects and larger defects are formed along the path of the ion; the latter defects have radii varying from 10 Å to 30 Å depending upon the type of incident ion. These large defects comprise the “latent tracks” which yield the visible tracks after etching. Their concentration is great enough at large irradiations (to 10¹⁴ to 10¹⁵ ions/cm²) for the mica to become amorphous.