Über die galvanomagnetischen Eigenschaften von InSb-Einkristallen mit Te-Dotierung

Abstract

An InSb-Einkristallen mit einem Te-Gehalt größer 2·10¹⁶/cm³ wurde die Änderung des elektrischen Widerstandes im Magnetfeld in Abhängigkeit von Dotierung, magnetischer Induktion und Winkel zwischen Strom und magnetischer Induktion bei Zimmertemperatur, 78°K und 4,2°K gemessen. Es ergab sich eine scheinbare Anisotropie derart, daß die Werte der transversalen Widerstandsänderung mit Probenstrom parallel zur Wachstumsrichtung [111] immer größer waren, als wenn der Strom senkrecht zur Wachstumsrichtung floß. Die Unterschiede betrugen bis zu 2 Größenordnungen. Aus den Messungen des planaren HALL-Effektes folgt, daß in n-leitendem InSb bei Zimmertemperatur die Widerstandsänderung fast ausschließlich durch die gemischte Leitung verursacht wird. Dieser überlagert sich eine durch die Präparation bedingte Anisotropie. Im Gegensatz zur Widerstandsänderung ist die Elektronenbeweglichkeit isotrop. Der HALL-Koeffizient ist im Bereich zwischen 100 Gauß und 10 kGauß innerhalb der Fehlergrenze von einigen Promillen konstant.