In der vorliegenden Arbeit ist das Verhalten einer Reihe von Fremdstoffen in der halbleitenden Verbindung Indiumarsenid untersucht. An in der flüssigen Phase dotiertem und mit gerichteter Kristallisation erstarrtem Indiumarsenid sind aus HALL-Effekts- und Leitfähigkeitsmessungen die Verteilungskoeffizienten und Ungleichungen für die Löslichkeiten von Mg, Zn, Cd, Si, Ge, Sn, S, Se und Te ermittelt worden. Ca ist auch bei den kleinsten verwendbaren Konzentrationen nicht löslich. Die Elemente der zweiten und vierten Gruppe substituieren In. Die zweite Gruppe bildet dabei Akzeptoren, die vierte Donatoren. Die Elemente der sechsten Gruppe substituieren As unter Bildung von Donatoren. Bei der Diskussion der gemessenen Verteilungskurven werden besonders die Verhältnisse in der Nähe der Eigenleitung bei einem großen Verhältnis der Elektronen- zur Defektelektronenbeweglichkeit berücksichtigt. Hieraus ergibt sich die Nullstelle des HALL-Koeffizienten bei einem derartigen Verhältnis. Ausdehnung der Messungen auf einen Temperaturbereich von 60 bis 1000° K zeigt, daß die Ionisierungsenergie sämtlicher Störstellen < 0,005 eV ist. Es ergibt sich ein eindeutiger Zusammenhang zwischen den Störstellenkonzentrationen und der Beweglichkeit, unabhängig von dem betrachteten Element. Die Leitfähigkeit durchläuft mit steigender Störstellenkonzentration ein Maximum, jenseits von dem der Beweglichkeitsabfall den Anstieg der Ladungsträgerdichte überkompensiert.