Calcul des courants et de la répartition de potentiel dans un isolant. Cas d'un cristal pur

Abstract

Un système d'équations liant les porteurs et les champs entre eux est décrit ainsi que les conditions aux limites. Une résolution rigoureuse de ce système sur ordinateur a montré trois régions en fonction de la tension appliquée : aux faibles tensions un régime ohmique i = kV, entre 1 V/cm et 100 V/cm un régime d'injection i = KV2, au-delà une saturation. Ces résultats sont en accord avec ceux obtenus par approximations (calculs de Lampert) pour les régions d'injection, mais en diffèrent pour les autres régions où les approximations ne sont plus valables. Une relation est trouvée entre les caractéristiques i = f(V) et les répartitions des charges en fonction de x