Résistance du substrat de carbone au silicium fondu dans le procédé RAD

Abstract

Cet article présente les résultats d'une étude sur les origines de la réactivité des pyrocarbones lamellaires de haute température (PLHT) avec le silicium fondu. Les dépôts de PLHT constituent le revêtement protecteur d'un ruban de graphite souple utilisé comme support dans la croissance de couches minces de silicium par le procédé RAD dans le cadre d'applications photovoltaïques. Ce type de revêtement a été choisi en raison de sa non-réactivité avec le silicium fondu en l'absence de défauts de texture. Les études d'interfaces silicium-pyrocarbone par microscopie électronique en transmission montrent que la réactivité est en relation directe avec la densité de bords libres de couches aromatiques. On montre que dans le cas de conditions de croissance bien contrôlées (dépôt par défilement continu en four ouvert), les PLHT déposés sur un ruban de graphite préalablement purifié au chlore ne présentent plus de défauts de texture. En corollaire, ce type de revêtement évite une contamination du bain de silicium par le ruban de carbone