Abstract
Es wurde die differentielle Thermospannung an 3 p- und 5 n-leitenden Präparaten aus InAs und an 2 p-Proben aus InSb bis 800° K gemessen. Daraus ergeben sich für die effektiven Massen in InAs zwischen 500 und 800° K folgende Werte: mn = 0,064 m0; mp = 0,33 m0 . In InSb erhält man bei 333° K mn=0,037 m0; mp = 0,18 m0. Die effektive Elektronenmasse in InSb wächst mit zunehmender Temperatur und erreicht schließlich 0,05 m0 kurz unterhalb des Schmelzpunktes.