Centres de Recombinaison Crees dans le Ge par des Neutrons Rapides†

Abstract

Des eristaux de Ge N et P ont ét´c irradiés à la température ambiante par des neutrons rapides d'un réactour nucléairc. Nous avons churché à étudior los centres do recombinaison formés à la suite du bombardement, en particulier à déterminer les positions des niveaux de cos centres et les sections efficaces de capture des électrons et des trous. Dans oa but, des éxperiences ont été effectuées, d'une part sur la variation de la durée de vie des porteurs minori-taires en function du flux intégré des neutrons, d'autre part sur la variation de la durée de vie en function de la témperature aprés bombardement. Nous avons également irradié une junction P-N et, en utilisant I'effet photo-voltaique, étudié les variations du courant de court-circuit pour déduire les variations de la durée de vie pendant le bombardement Enfin, des expériences de recuit ont été entropvises sur quelques cristaux irradiés. Nous avons constaté un comportement de guérison trés différent entre les deux typos N et P.