Es werden Messungen der spez. Leitfähigkeit und des Hall-Koeffizienten der halbleitenden Verbindung InSb mitgeteilt und diskutiert. Für die Breite der verbotenen Zone ergibt sich der Wert ΔE = 0,27-3·10-4T(eV). Die Elektronenbeweglichkeit ist etwa 65 000 (T/300)-1,66 cm2/Vsec. Die Löcherbeweglichkeit ist wesentlich kleiner und besitzt eine stärkere Temperaturabhängigkeit. Infolge des großen Beweglichkeitsverhältnisses muß bereits bei relativ kleinen Temperaturen die Entartung berücksichtigt werden.