Aspects physico-chimiques de la préparation de couches minces semiconductrices par condensation de plasmas froids

Abstract
Étude de l'influence des variations du champ réduit E* et de la concentration en oxygène des plasmas froids (Cu, A, O)* et (Ti, A, O)* sur les caractéristiques des couches minces condensées sur des supports solides ; examen de leurs propriétés par différentes techniques et mise en évidence d'une épaisseur caractéristique du couple support-couche mince. Proposition d'une théorie phénoménologique de la condensation des plasmas froids, basée sur l'hypothèse de l'existence de réactions chimiques collisionnelles et comparaison avec les résultats expérimentaux dans le cas (Ti, A, O)*

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