An dünnen Aufdampfschichten (500 A) aus InSb auf SiO-Filmen wurde mit Elektronen-Beugung und -Mikroskopie die Schichtstruktur in Abhängigkeit von der Trägertemperatur während des Bedampfens untersucht. Es wurden Aussagen über die Kristallisationsfähigkeit dieser halbleitenden Verbindung in Aufdampfschichten gewonnen, wobei vor allem zunächst die Frage interessierte, wie weit in den Schichten tatsächlich reines InSb vorliegt. An Schichten dicker als 1 μ wurden einige elektrische Messungen des HALL-Effektes und der Widerstandsänderung im Magnetfeld durchgeführt und die Schichtstruktur mit Hilfe von Oberflächenabdrücken elektronenmikroskopisch untersucht.