Applications de la technique de double résonance électronique et nucléaire (ENDOR) aux donneurs dans le silicium

Abstract

La technique de résonance ENDOR (résonance double électronique et nucléaire) a été appliquée au silicium dopé avec P, Sb et As. La méthode permet d'étudier l'interaction hyperfine de l'électron de l'élément donneur avec les noyaux 29Si situés aux différents sites du réseau. On peut ainsi déterminer la part isotrope et la part anisotrope de cette interaction. En comparant les résultats expérimentaux avec la fonction d'onde théorique de Kohn et Luttinger on obtient, pour le minimum de la bande de conduction dans le silicium la valeur k 0/kmax = 0,85 ± 0,03. On discute quelques aspects généraux de raies élargies d'une façon inhomogène