Bruit de fond de semi-conducteurs. II

Abstract

Comme base de calcul dans le cas dynamique, on établit une formule pour le facteur de bruit en considérant le semi-conducteur en totalité. La simplicité de ladite loi et la possibilité de représenter sur cette base le bruit plus élevé à des tensions de polarisation plus fortes permettent une extension de la théorie aux différents cas d'emplois des semi-conducteurs, entre autres comme organes de mélange de fréquences. On procède donc à un développement analytique du cas dynamique et au calcul du bruit effectif de la diode semi-conductrice en mélangeur. Des calculs analogues donnent le bruit effectif et la sensibilité (puissance de bruit divisée par la largeur de bande effective; rapport signal-bruit = I) de montages triodes semi-conductrices ou cristal à trois électrodes (transistrons)