Etude théorique et expérimentale du transistor à effet de champ à hétérojonction
- 1 January 1983
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 18 (11), 719-726
- https://doi.org/10.1051/rphysap:019830018011071900
Abstract
La dynamique des électrons dans un gaz bidimensionnel est étudiée par la méthode de Monte-Carlo. Les hétérojonctions envisagées sont GaAs/GaAlAs et GaInAs/InP. Ces résultats sont alors utilisés pour une modélisation du transistor à hétérojonction (TEGFET). Une comparaison de cette structure avec le TEC conventionnel est effectuée dans les deux applications suivantes : l'amplification faible bruit et les circuits logiques à couplage direct. Une supériorité intrinsèque du TEGFET dans chacune de ces applications est mise en évidenceKeywords
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- Influence of AlxGa1−xAs buffer layers on the performance of modulation-doped field-effect transistorsApplied Physics Letters, 1982
- Enhancement-Mode High Electron Mobility Transistors for Logic ApplicationsJapanese Journal of Applied Physics, 1981
- Two-dimensional electron gas m.e.s.f.e.t. structureElectronics Letters, 1980