Über die Lebensdauer an zonengezogenen und metalldotierten Silicium-Einkristallen

Abstract

Es wird berichtet über Messungen des Temperaturganges der Ladungsträgerlebensdauer an zonengezogenen hochreinen und mit Cu oder Au dotierten Silicium-Einkristallen. Über eine Variation der Versetzungsdichte konnte nachgewiesen werden, daß die Lebensdauer bei hochreinem Material im wesentlichen von der Versetzungsdichte bestimmt wird. Durch Einbringen von Rekombinationszentren bildenden Metallen (Cu, Au) konnte die Lebensdauer so weit erniedrigt werden, daß der Einfluß der Metalle dominierend wird. Mit einer Überlagerung der beiden Einflüsse kann jede Temperaturabhängigkeit zwischen diesen Grenzfällen erklärt werden.