Des échantillons de cuivre 99,999 % ont été trempés dans une atmosphère d'hydrogène. Des mesures de l'augmentation de résistivité électrique qui en résulte permettent de déterminer la résistivité due à une concentration unité d'atomes d'hydrogène dissous ρH = 0,94 ± 0,03 μΩcm/% at. En supposant que la résistivité due aux lacunes, ρL est comprise entre 0,80 et 1,4 μΩcm% at., les résultats expérimentaux conduisent à une énergie de formation des lacunes dans le cuivre : Ef = 1,17 ± 0,06 eV. Des expériences de recuits isochrones et isothermes montrent que la résistivité initiale se restaure en deux étapes principales. La première, centrée autour de —120 °C correspond à une énergie d'activation de 0,4 eV, et semble devoir être attribuée à la migration de l'hydrogène dissous. La seconde, voisine de 30 °C, correspond à une réaction d'ordre 1 avec une énergie d'activation. Em = 0,80 ± 0,02 eV. Si on l'attribue à la migration des lacunes, la somme, Ef + Em = 1,97 ± 0,08 eV semble en assez bon accord avec l'énergie d'autodiffusion EAD = 2,05 ± 0,07 eV