Étude de certaines propriétés de couches de SiO2 sur support de silicium

Abstract

Des couches de SiO2 sur support de Si ont été produites soit par oxydation theimique dans la vapeur d'eau, soit par dépôt à partir d'acide hydrofluosilicique, soit par oxydation anodique en électrolytes non aqueux. Elles ont été étudiées par ellipsométrie. L'indice de réfraction a été utilisé pour calculer le coefficient de remplissage. On a étudié la cinétique de croissance par oxydation dans la vapeur. L'oxydation anodique dans un sel fondu a donné un film composé