La structure des couches minces de germanium a été déjà étudiée par diffraction d'électrons et microscopie électronique. On a pu mettre en évidence un état amorphe et un état cristalisé de la couche. Le présent travail porte sur des mesures de résistance électrique de couches de germanium obtenues par vaporisation thermique dans le vide, d'épaisseur voisine de I μ. Les mesures de résistance montrent bien un changement brusque d'état lorsque le support de la couche est portée environ à 350° C. La valeur de la résistivité varie alors dans un rapport voisin de I06. On a pu mettre en outre en évidence un effet redresseur des couches minces de germanium. Les couches amorphes de grande résistance ohmique fournissent une relativement grande tension redressée en circuit ouvert, mais un très faible courant redressé de court-circuit. Inversement des couches cristallisées de faible résistance ohmique fournissent une très faible tension redressée en circuit ouvert, mais un relativement fort courant redressé de court-circuit. Dans les deux cas la puissance redressée est très faible. On a pu préparer des couches présentant une puissance redressée très supérieure, au moyen de couches complexes constituées d'une couche cristallisée assez épaisse (I μ) recouverte d'une très mince couche amorphe. Les résultats sont alors comparables à ceux obtenus avec un cristal de germanium pur