Kristalle aus InSb, welche nach der Czochralski-Methode hergestellt sind und einen Te-Gehalt größer als 10166 cm-3 besitzen, zeigen häufig eine Anisotropie der Widerstandsänderung. Bei Proben mit einer Stromrichtung I parallel zur Wachstumsrichtung ist die Widerstandsänderung über eine Größenordnung höher als bei Proben mit I senkrecht zur Wachstumsrichtung. Dieses Verhalten wurde für die Wachstumsrichtungen [1.11], [100] und [113] festgestellt. Durch geeignete Wahl der Ziehgeschwindigkeit läßt sich diese Anisotropie vollständig beseitigen. Die Ergebnisse können durch Annahme eines schichtweisen Einbaus der Störstellen in Schichten wechselnder Konzentration senkrecht zur Wachstumsrichtung erklärt werden. Die experimentellen Resultate stehen in Übereinklang mit einer von HERRING entwickelten Theorie.