Widths of Transmission Kikuchi Lines in Silicon and Diamond
- 1 June 1965
- journal article
- research article
- Published by AIP Publishing in Journal of Applied Physics
- Vol. 36 (6), 1986-1995
- https://doi.org/10.1063/1.1714388
Abstract
Detailed transmission Kikuchi patterns for silicon and diamond at 80 keV have been measured with high angular resolution (∼10−4 rad). Linewidths of all simple Bragg reflections are consistent with an elastic‐scattering model, which uses scattering amplitudes calculated by Ibers in a first Born approximation. Various interferences between strong Bragg reflections are observed.Keywords
This publication has 19 references indexed in Scilit:
- Kikuchi pattern from a silicon wedgeActa Crystallographica, 1964
- Plural Scattering of 20-kev Electrons in AluminumPhysical Review B, 1962
- Energieanalyse in Kikuchi-Linien und in Reflexen einer Silizium-SpaltflächeThe European Physical Journal A, 1961
- Energieanalyse im Elektronenstreudiagramm einer dünnen Silizium-FolieThe European Physical Journal A, 1961
- Die Herstellung dünner Silizium-Einkristallschichten durch KathodenzerstäubungThe European Physical Journal A, 1961
- Das Strahlungsfeld auf der Kristallrückseite bei ElektroneninterferenzenThe European Physical Journal A, 1954
- The Interpretation and Application of Electron-Diffraction "Kikuchi-Line" Patterns - Part II. The Methods of Indexing the PatternsProceedings of the Physical Society, 1948
- The Interpretation and Application of Electron-Diffraction `Kikuchi-Line' Patterns - Part I. The Determination of the Crystal Unit Cell, its Orientation and the Crystal SymmetryProceedings of the Physical Society, 1948
- Zur Theorie der Elektronenbeugung bei Berücksichtigung von mehr als 2 Strahlen und zur Erklärung der Kikuchi‐Enveloppen. IAnnalen der Physik, 1938
- Über das primäre und sekundäre Bild im Elektronenmikroskop. I. Eingriffe in das Beugungsbild und ihr Einfluß auf die AbbildungAnnalen der Physik, 1936