Es wird eine Darstellungsmethode für GaN beschrieben, die den Vorteil niedriger Arbeitstemperatur hat und mannigfache Dotierungen ermöglicht. Die Lumineszenzeigenschaften solcher GaN-Präparate werden in Abhängigkeit von den Herstellungsbedingungen untersucht und die durch Dotierung hervorgerufenen Emissionsbanden bestimmt. Löschung der Fluoreszenz durch Ultrarot ermöglicht bei Zn-, Cd- und Li-Dotierung zusammen mit den Emissionsbanden die Angabe eines Termschemas, GLOW-Kurven eine Deutung der kurzwelligen Emissionen (sog. Satelliten) des nicht bewußt dotierten GaN als Trapemission. Ferner wird eine Darstellungsmethode für GaN-Einkristalle angegeben und deren Photoleitung untersucht.