Über das Leitvermögen von Cadmiumsulfidkristallen bei Anregung durch harte und mittelharte Röntgenstrahlen

Abstract

Das durch Röntgenstrahlen im Bereich von 40-200 kV erzeugte Leitvermögen von CdS-Kristallen wird mit dem Ionisationsstrom einer Luftkammer verglichen. Bei gleicher Strahlen-qualität wurde an einer Reihe von Kristallen Proportionalität zwischen Photostrom des Kristalles und Ionisationsstrom der Luftkammer festgestellt. Dagegen ist die Wellenlängenabhängigkeit des Photostromes erwartungsgemäß eine andere als die des Ionisationsstromes, und zwar ergab sich aus Messungen mit sog. Normalstrahlungen bei etwa 130 kV Röhrenspannung ein Maximum der Empfindlichkeit des Kristalles gegenüber der Empfindlichkeit des Dosimeters. D as Leitvermögen von Cadmiumsulfidkristallen