Abstract
Nous avons mis au point une méthode de microanalyse des circuits intégrés, en particulier ceux à substrat de silicium. Cette méthode qualitative et quantitative permet de déterminer la distribution des atomes à l'intérieur et à la surface du substrat. Elle combine les avantages de la précision du sectionnement mécanique (1 μ à 1 % près) et de la sensibilité de l'analyse par les méthodes nucléaires (10-9 à 10-12 g)