Es werden Messungen der spez. Leitfähigkeit und des Hall-Koeffizienten der halbleitenden Verbindung InAs mitgeteilt und diskutiert. Für die Breite der verbotenen Zone am absoluten Nullpunkt der Temperatur ergibt sich der Wert 0,47 ± 0,02 eV. Ihre Temperaturabhängigkeit ist angenähert —4,5·10-4 eV/°K. Die Elektronenbeweglichkeit hat bei Zimmertemperatur einen Maximalwert von etwa 30000 cm2/Vsec, die Löcherbeweglichkeit von etwa 200 cm2/Vsec.