Einschnüreffekt bei Transistoren mit Streifengeometrie (Pinch-in effect in transistors with emitter-stripe geometry)

Abstract

Es wird gezeigt, daβ bei ausreichend hohem Multiplikations-faktor in der Kollektorfeldzone eine punktförmige Einschnürung des Emitterstromes (pinch-in Effekt) auftretenk ann. Dieser Effekt, der von der Zylindergeometrie her bekannt ist, kommt dadurch zustande, daβ die Gleichverteilung des Emitterstromes in Längsrichtung des Emitterstreifens instabil weid. This letter shows that the emitter current is concentrated at one localised spot when the multiplication factor in the collector depletion layer becomes sufficiently high. This effect, which has previously been described only for transistors with cylindrical geometry, is due to an instability of the emitter-current distribution along the emitter stripe.