In Ergänzung einer früheren Mitteilung wird über die Eigenschaften dünner InSb- und InAs-Schichten berichtet, die mit einer speziellen Aufdampfmethode, dem 3-Temperaturverfahren, hergestellt wurden. Die Schichten sind sämtlich n-leitend und besitzen Hall-Koeffizienten, die etwa dem massiven Material entsprechen. Die höchsten gemessenen Elektronenbeweglichkeiten liegen bei Raumtemperatur für InAs bei 13 000, für InSb bei 20 000 cm2/V sec. Während der Temperaturverlauf des Hall-Koeffizienten für beide Substanzen demjenigen des Massivmaterials entspricht, ergeben sich bei der Beweglichkeit Abweichungen. Die Beweglichkeit steigt für beide Substanzen mit zunehmender Kristallitgröße an. Daraus kann geschlossen werden, daß Streuprozesse an Korngrenzen in entscheidender Weise für die Begrenzung der Elektronenbeweglichkeit verantwortlich sind.