Abstract
Die einzelnen Konstanten des Piezowiderstandseffektes in Galliumarsenid wurden aus Messungen des Widerstandes in Abhängigkeit von der mechanischen Belastung in verschiedenen Kristallrichtungen bestimmt. Die Ergebnisse werden mit den bekannten Werten von Germanium und Silicium im Hinblick auf die verschiedene Bandstruktur verglichen