Abstract
Aus den entsprechenden Chloriden und Ammoniak werden die Nitride von Bor, Aluminium, Gallium und Indium in kompakten Zustand durch Anwendung des Aufwachsverfahrens erhalten. Es sind chemisch außerordentlich resistente Körper. Ihre elektrische Leitfähigkeit nimmt in der Reihenfolge BN, AIN, GaN, InN zu; InN ist bereits ein guter Leiter. Sämtliche Nitride besitzen Halbleitercharakter.

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