Herstellung der Nitride von Bor, Aluminium, Gallium und Indium nach dem Aufwachsverfahren
- 1 January 1959
- journal article
- research article
- Published by Wiley in Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie
- Vol. 298 (1-2), 22-33
- https://doi.org/10.1002/zaac.19592980106
Abstract
Aus den entsprechenden Chloriden und Ammoniak werden die Nitride von Bor, Aluminium, Gallium und Indium in kompakten Zustand durch Anwendung des Aufwachsverfahrens erhalten. Es sind chemisch außerordentlich resistente Körper. Ihre elektrische Leitfähigkeit nimmt in der Reihenfolge BN, AIN, GaN, InN zu; InN ist bereits ein guter Leiter. Sämtliche Nitride besitzen Halbleitercharakter.This publication has 20 references indexed in Scilit:
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