Ein Stapelfehler erstrecke sich über die ganze Breite eines Kristalls. In einer Einelektronentheorie wird die Wellenfunktion der Elektronen des obersten, besetzten Bandes nach WANNIER-Funktionen entwickelt, deren Zentren die Gitterpunkte des gestörten Gitters sind. Die Entwicklungskoeffizienten lassen sich angeben. Der Zusammenhang zwischen der Elektronenenergie E und dem Ausbreitungsvektor k ist eine FOURIER-Enwicklung im k-Raum. Für die Änderung der k-Eigenwerte und damit der Energieeigenwerte des Leitungsbandes beim Einbau eines Stapelfehlers läßt sich eine Gleichung angeben, die geschlossen gelöst werden kann. Die Summation bzw. Integration über die besetzten Zustände gibt die gesuchte Stapelfehlerenergie γ. Eine Berechnung von γ erfordert die Kenntnis gewisser Matrixelemente zwischen WANNIER-Funktionen. Die Stapelfehlerenergie erweist sich als sehr empfindlich gegenüber kleinen Schwankungen dieser Matrixelemente. Die vorliegende Methode eignet sich auch zur Behandlung anderer, ebener Grenzflächen. Ferner ist eine Ausdehnung auf mehrere Bänder möglich.