Effets de l'irradiation par des protons sur les propriétés du silicium

Abstract

Des études précédentes [1], [2] ont été faites sur l'accélération de la diffusion dans le silicium sous l'action de l'irradiation par des protons à haute température, mise en évidence par le mouvement d'une jonction n-p. La méthode de Lang a été utilisée pour observer les défauts créés. La perturbation du réseau peut s'étendre à toute l'épaisseur du cristal. Elle disparaît si on enlève la région où ont été créés les défauts, située à 10 μ. de la surface, profondeur de pénétration des protons