Effets de l'irradiation par des protons sur les propriétés du silicium
- 1 January 1963
- journal article
- Published by EDP Sciences in Journal de Physique et le Radium
- Vol. 24 (7), 467-470
- https://doi.org/10.1051/jphys:01963002407046700
Abstract
Des études précédentes [1], [2] ont été faites sur l'accélération de la diffusion dans le silicium sous l'action de l'irradiation par des protons à haute température, mise en évidence par le mouvement d'une jonction n-p. La méthode de Lang a été utilisée pour observer les défauts créés. La perturbation du réseau peut s'étendre à toute l'épaisseur du cristal. Elle disparaît si on enlève la région où ont été créés les défauts, située à 10 μ. de la surface, profondeur de pénétration des protonsKeywords
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- The anisotropy of the nuclear magnetic resonance in white tinPhysics Letters, 1962
- A theoretical study of pendellösung fringes. I. General considerationsActa Crystallographica, 1961
- Studies of Individual Dislocations in Crystals by X-Ray Diffraction MicroradiographyJournal of Applied Physics, 1959
- A study of pendellösung fringes in X-ray diffractionActa Crystallographica, 1959