Approche théorique de la cinétique de croissance des dépôts épitaxiés d'arséniure de gallium par CVD-OM et confrontation avec les résultats expérimentaux
Open Access
- 1 January 1979
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 14 (10), 875-886
- https://doi.org/10.1051/rphysap:019790014010087500
Abstract
Le présent exposé a pour objet de quantifier au moyen d'un modèle de calcul simplifié la cinétique de croissance des couches épitaxiées d'arséniure de gallium obtenues par pyrolyse du mélange gazeux : Ga(CH3) 3-AsH3-H2 Les paramètres étudiés sont : — le débit d'hydrogène, d'arsine et de triméthylgallium — la pression dans le réacteur — la température du substrat — la géométrie du réacteur. Les résultats théoriques obtenus sont en bon accord avec les résultats expérimentauxKeywords
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