An amorphen Germanium-Aufdampfschichten sind im Vakuum Messungen der Temperaturabhängigkeit des elektrischen Widerstandes von 20° bis 400°C durchgeführt worden, um zu klären, wie sich die amorphe Modifikation des Germaniums gegenüber der kristallinen Form mit Diamantstruktur im elektrischen Verhalten unterscheidet. Aus der Neigung der Kurven im log ϱ-1/T-Diagramm wird die Aktivierungsenergie entnommen und mit Messungen an kristallinen Schichten verglichen.