Changements de phase du gallium à la pression atmosphérique

Abstract

Après avoir signalé l'importance du choix des échantillons de faible volume dans l'étude de la germination dans le gallium liquide, on montre que les conditions de la germination homogène sont réalisées vers — 123 °C pour certaines gouttelettes provenant de J'émulsion du métal liquide ; la phase solide qui apparaît est alors la forme métastable Gaβ et l'on mesure l'enthalpie libre interfaciale entre le liquide et un germe de Gaβ. Ces échantillons liquides ne cristallisent qu'exceptionnellement en la forme stable Gaα, mais on peut aussi obtenir une deuxième phase solide métastable Gaγ dont on détermine quelques propriétés physiques. Par leurs paramètres thermodynamiques, les formes Gaβ et Gaγ sont identifiées respectivement aux formes Ga II et Ga III stables à haute pression. Des considérations sur la règle des degrés d'Ostwald permettent de justifier l'obtention de ces formes métastables à partir des états liquide ou vapeur