Augmentation de la hauteur de barrière de diodes de Schottky au silicium : Application aux cellules solaires
- 1 January 1975
- journal article
- Published by EDP Sciences in Journal de Physique Lettres
- Vol. 36 (5), 149-151
- https://doi.org/10.1051/jphyslet:01975003605014900
Abstract
Le rendement des cellules solaires au silicium réalisées par diode Schottky dépend essentiellement de la hauteur de la barrière de potentiel au contact métal-semiconducteur. On propose ici deux procédés permettant de porter cette barrière aux environs de 1 eV, soit par évaporation de hafnium sur du silicium P, soit par une implantation d'ions avant la formation d'une diode Schottky à l'or sur du silicium NKeywords
This publication has 5 references indexed in Scilit:
- An 8% efficient layered Schottky-barrier solar cellJournal of Applied Physics, 1974
- Increasing the effective height of a Schottky barrier using low-energy ion implantationApplied Physics Letters, 1974
- Schottky-barrier solar-cell calculationsApplied Physics Letters, 1974
- Carrier transport across metal-semiconductor barriersSolid-State Electronics, 1970
- Silicon Surface-Barrier PhotocellsJournal of Applied Physics, 1962