Abstract
Nous décrivons une méthode D.L.T.S. utilisant une détection synchrone dont la mise en oeuvre est simple ; cette méthode réduit l'influence sur les mesures de la réponse transitoire du capacimètre et élimine la composante continue de la capacité. La détection de l'harmonique deux présente alors une meilleure sélectivité que la détection du fondamental. La limitation à une demi-période du signal de capacité à l'entrée de la détection synchrone réduit le bruit de fond pour les coefficients de Fourier a1, a2, b 2 de ce signal. Une seule remontée de température est suffisante pour déterminer la signature des défauts. Nous caractérisons trois défauts d'énergie d'activation respective : 0,22 ; 0,29 ; 0,39 eV dans un échantillon de Ga As multi-implanté en oxygène