Contrôle du dopage dans la croissance épitaxiale d'arséniure de gallium
- 1 January 1971
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 6 (1), 5-10
- https://doi.org/10.1051/rphysap:01971006010500
Abstract
Nous présentons nos résultats récemment acquis dans la maîtrise du niveau et du profil de dopage de couches d'arséniure de gallium préparées par épitaxie en phase vapeur. Nous décrivons un procédé de dopage par rétrodiffusion, et exposons nos méthodes de caractérisationKeywords
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- The preparation of high purity gallium arsenide by vapour phase epitaxial growthSolid-State Electronics, 1965
- Band Structure and Electron Transport of GaAsPhysical Review B, 1960