Electroréflexion et ellipsométrie spectroscopique d'hétérostructures InGaAsP/InP et GaAlAs/GaAs

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Abstract
On utilise deux techniques optiques sensibles non destructives et complémentaires : l'électroréflexion et l'ellipsométrie spectroscopique pour analyser des structures semiconductrices multicouches. On montre, sur un alliage quaternaire de GaInAsP, qu'il existe une bi-couche d'InP. Sur des empilements d'hétérostructures contenant des couches ultra-minces, on détermine la composition chimique des couches, les épaisseurs, la qualité des interfaces, les contraintes mécaniques et les principales transitions optiques. On mesure par électroréflexion les niveaux électroniques d'un double puits quantique de GaAs dans une matrice de GaAlAs