Étude de films d'alliages kondo par résistivité et proximité supraconductrice (températures critiques)
- 1 January 1973
- journal article
- Published by EDP Sciences in Journal de Physique
- Vol. 34 (11-12), 1021-1037
- https://doi.org/10.1051/jphys:019730034011-120102100
Abstract
Les propriétés magnétiques d'alliages dilués d'impuretés de transition (X = Cr, Mn, Fe, Co) dans le Cu sont étudiées à partir des T c de bilames Pb/CuX préparés par évaporation sous ultra-vide. Dans une première partie nous étudions les propriétés des films d'alliages CuX dans l'état normal. La variation de résistance en température est en accord avec le comportement Kondo caractéristique des alliages massifs correspondants et peut être utilisée pour déterminer leur concentration en impuretés. Les mesures de Tc sur des bilames épais sont difficiles à relier aux propriétés magnétiques de l'alliage, parce que la réduction du libre parcours moyen par les impuretés magnétiques a un effet opposé à celui du dépairage qu'elles peuvent introduire. Sur les bilames de films plus minces que leur libre parcours moyen, les effets magnétiques sont clairement mis en évidence. Le modèle tunnel de l'effet de proximité proposé par McMillan décrit correctement les variations de Tc sur les bilames Pb/Cu. Son extension par Kaiser et Zuckermann est utilisée pour calculer l'énergie de dépairage, Γ, apportée par la présence d'impuretés de transition dans le Cu. Dans le cas des impuretés de Mn dont le moment magnétique n'est pas écranté aux températures utilisées, la valeur de Γ est en accord avec celle que fournit le modèle d'Abrikosov et Gorkov, ΓAG. Γ est trouvé supérieur à Γ AG pour le Fe et le Cr. Dans ce dernier cas, Γ varie avec Tc. Ces résultats sont qualitativement en accord avec la description de Müller-Hartmann et Zittartz de l'effet Kondo dans les supraconducteurs. Les alliages dilués de Co ne montrent pas de dépairage magnétique. Dans les alliages plus concentrés (c > 103 ppm) on observe un dépairage dû à la présence d'atomes en paires. En appendice est discutée la détermination résistive des épaisseurs des films et de leur concentrationKeywords
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