Croissance épitaxique en phase liquide de GaxIn1-xp
- 1 January 1976
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 11 (4), 475-481
- https://doi.org/10.1051/rphysap:01976001104047500
Abstract
La détermination des chemins de cristallisation dans le diagramme d'équilibre Ga-In-P permet de prévoir les conditions de croissance de couches épitaxiques homogènes GaxIn1-xP. Des dépôts monocristallins sur substrats de GaP orientés suivant le plan (111) B ont été préparés pour x > 0,80 par refroidissement d'une solution saturée. Des couches de bonne qualité sur supports de GaAs orientés (111) B ont été obtenues dans le domaine de composition 0,50 < x < 0,52 par une méthode verticale de croissance épitaxique en phase liquide à température constante. Les spectres de luminescence caractéristiques de ces dépôts sont présentésKeywords
This publication has 13 references indexed in Scilit:
- The direct-indirect transition in In1−xGaxPSolid State Communications, 1974
- The conduction band structure of the In1−xGaxP alloy systemSolid State Communications, 1974
- Crystal and luminescence properties of constant-temperature liquid-phase-expitaxial In1−xGaxP (x [inverted lazy s]0.7) grown on (100) GaAs1−xPx (x [inverted lazy s]0.4)Journal of Applied Physics, 1973
- Calculation of regular solution interaction parameters in semiconductor solid solutionsJournal of Physics and Chemistry of Solids, 1973
- Liquid phase epitaxial growth of GaxIn1−xPJournal of Electronic Materials, 1972
- The importance of lattice mismatch in the growth of GaxIn1−xP epitaxial crystalsJournal of Applied Physics, 1972
- In1−xGaxP p-n Junction LasersApplied Physics Letters, 1971
- The Ga+In+P systemThe Journal of Chemical Thermodynamics, 1970
- Calculation of the Ga-In-P Ternary Phase Diagram Using the Quasi-Chemical Equilibrium ModelJournal of the Electrochemical Society, 1970
- Calculation of iii–v ternary phase diagrams: In-Ga-As and In-As-SbJournal of Physics and Chemistry of Solids, 1969